產(chǎn)品描述
本設(shè)備采用定制的皮秒或飛秒激光器及光路系統(tǒng),配合高精準的平臺移動和焦點能量密度控制,從半導體晶圓內(nèi)部形成激光切割層,從而達到晶粒無崩邊、無碎屑、低損耗、高速的內(nèi)部劃片切割;
應用領(lǐng)域:
• 針對硅晶圓、碳化硅晶圓、LED藍寶石晶圓等泛半導體晶圓的劃片切割;
• 設(shè)備優(yōu)勢:具有自動調(diào)焦功能,有效保證切割的一致性;
• 切割速度100mm/s-10000mm/s, 重復定位精度±1mm;兼容2、4、6、8寸晶圓;
關(guān)鍵詞:
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